Estructura de nitrur de bor hexagonal

El nitrur de bor (BN) és un nanomaterial nou-de banda ampla amb excel·lents propietats i un gran potencial de desenvolupament. És un compost típic del grup ⅲ - ⅴ, compost per àtoms de nitrogen i àtoms de bor. Els àtoms de nitrogen i els àtoms de bor es combinen entre si de diferents maneres híbrides per formar nitrur de bor amb diferents estructures de fase: nitrur de bor hexagonal (H-BN), nitrur de bor romboïdal (R-BN), bor cúbic. nitrur (C-BN), nitrur de bor wurtzita (W{-BN) i nitrur de bor ortogonal (O{-BN). Entre ells, el nitrur de bor hexagonal és l'única fase de nitrur de bor existent a la natura.

Hexagonal boron nitride belongs to hexagonal crystal system, with the same hexagonal crystal structure as graphene. Its lattice constant A =0.2504nm, C =0.6661nm, is stacked by multi-layer structure. B-n-b between layers is connected by van der Waals force, easy to be peeled off, light in mass, non-conductive, with a wide band gap (5.1eV). It has the advantages of high hardness (Mohr hardness 2), high melting point (>3000K), alta resistència a l'oxigen de 900 graus, resistència a alta temperatura de 2000 graus, baixa taxa d'expansió / contracció tèrmica, bona dissipació de calor al llarg de l'eix C- i té una àmplia gamma d'aplicacions. A més, els nanomaterials de tub nitrós de bor hexagonal d'una o múltiples capes-es poden enganxar en tubs nitrós de bor hexagonal.