L’aplicació del nitrur de bore hexagonal (H-BN) a la indústria dels envasos electrònics: un innovador en la gestió tèrmica i l’aïllament

El nitrur de bore hexagonal (H-BN) té excel·lents propietats i s’aplica àmpliament i important a la indústria dels envasos electrònics, principalment en els aspectes següents:

Alta conductivitat tèrmica: H-BN té una alta conductivitat tèrmica, que pot transferir ràpidament la calor generada pels dispositius electrònics i reduir eficaçment la temperatura de funcionament dels dispositius. Per exemple, en dispositius de densitat de flux de calor elevat com ara amplificadors de potència i CPU informàtics, l’ús de H-BN com a material d’interfície tèrmica pot realitzar la calor ràpidament des de la superfície del xip fins a l’aigüera de calor o altres dispositius de dissipació de calor, garantint que els dispositius funcionin dins d’un rang de temperatura normal i millorant el seu rendiment i fiabilitat.

Bona aïllament: té excel·lents propietats d’aïllament, que poden dur a terme calor evitant els curtcircuits elèctrics entre diferents components electrònics i garantint el funcionament normal dels equips electrònics. En algunes aplicacions d’envasos electrònics amb alts requisits d’aïllament, com ara mòduls d’alimentació d’alta tensió i circuits electrònics d’alta freqüència, les característiques d’aïllament de H-BN la converteixen en una elecció ideal per a materials d’interfície tèrmica.

Estabilitat química forta: H-BN té una excel·lent estabilitat química i no és propens a reaccions químiques amb materials circumdants, mantenint un rendiment estable durant l’ús a llarg termini. Aquesta característica li permet funcionar de manera fiable com a material d’interfície tèrmica en diversos entorns de treball complexos, com ara temperatures elevades, humitat elevada o ambients amb gasos corrosius, ampliant així la vida útil dels equips electrònics.

Material de substrat ceràmic de ceràmica envasat: el coeficient d'expansió tèrmica de H-BN està ben igualat amb el de materials semiconductors com el silici, reduint eficaçment l'estrès causat per les diferències d'expansió tèrmica durant el ciclisme tèrmic i prevenint les esquerdes i la deformació de l'estructura dels paquets. En tecnologies d’envasos d’alta densitat com els mòduls multi-xips i els envasos de matriu de boles, l’ús de substrats ceràmics H-BN poden millorar la fiabilitat de l’estructura d’envasos i assegurar l’estabilitat de rendiment dels dispositius electrònics a diferents temperatures de funcionament.

Alt rendiment d’aïllament: el seu bon rendiment d’aïllament pot aconseguir l’aïllament elèctric entre components electrònics, garantint la precisió i l’estabilitat de la transmissió del senyal. En els circuits electrònics d’alta freqüència i d’alta velocitat, els substrats ceràmics H-BN poden suprimir eficaçment la interferència de crosstalk de senyal i electromagnètica, millorant el rendiment i la capacitat anti-interferència dels equips electrònics.

Bon rendiment d’alta freqüència: H-BN té una constant dielèctrica i una pèrdua dielèctrica baixa, mantenint bones característiques de transmissió del senyal a freqüències altes. Això fa que s’utilitzi àmpliament en l’embalatge de dispositius electrònics d’alta freqüència com ara dispositius de microones i d’ona mil·límetre, com en l’envàs de circuits d’alta freqüència en camps de comunicació de radar i satèl·lit, millorant eficaçment la velocitat i la qualitat de la transmissió del senyal.

Com a farcit en els materials compostos d’envasament per millorar la conductivitat tèrmica: l’afegit en pols H-BN als materials compostos basats en polímer pot augmentar significativament la conductivitat tèrmica dels compostos. Per exemple, afegir una quantitat adequada de càrregues de H-BN a resines d’embalatge d’ús comú com la resina epoxi i la polimida pot millorar molt la conductivitat tèrmica dels compostos, millorant efectivament el rendiment de dissipació de calor dels envasos electrònics. Aquests compostos conductors tèrmics es poden utilitzar en processos d'embalatge com ara l'energia i l'encapsulació de dispositius electrònics per protegir els components i millorar la seva capacitat de dissipació de calor.

Millora de les propietats mecàniques: H-BN també pot millorar les propietats mecàniques dels compostos d’envasos, com la duresa, la força i la duresa. En aplicacions amb alts requisits per a les propietats mecàniques dels materials d’envasament, com ara l’electrònica aeroespacial i l’automoció, els compostos amb farcits H-BN poden suportar millor els impactes i vibracions externes, protegint els components electrònics interns dels danys.

Regulant les propietats dielèctriques: controlant el contingut i la distribució dels farcits de H-BN, es poden ajustar les propietats dielèctriques dels compostos d’envasos per satisfer les necessitats de diferents dispositius electrònics. En algunes aplicacions d’embalatge electrònic d’alta freqüència i d’alta velocitat amb requisits estrictes per a propietats dielèctriques, aquest tipus de material compost amb rendiment dielèctric regulable té un valor d’aplicació significatiu i pot optimitzar la transmissió de senyal i la concordança d’impedància.

Shengyang New Material Co., Ltd. aposta per la producció de productes processats de nitrur de nitrur de bor i boro i pot personalitzar diverses parts ceràmiques aïllants de nitrur de boro segons les necessitats del client. Poseu -vos en contacte amb nosaltres si cal.
Tel: +8618560961205
Correu electrònic: sales@zbsyxc.com
WhatsApp: +861396430224