SAFATA DE CARBUR DE SILICI
Aplicacions: procés de gravat ICP per a materials de pel·lícula fina de capa epitaxial (GaN, SiO2, etc.) per a nuclis d'hòsties LED, difusió de semiconductors amb peces ceràmiques de precisió i procés epitaxial MOCVD per hòsties de semiconductors. Les safates de ceràmica de carbur de silici estan fetes de material ceràmic de carbur de silici sinteritzat d'alta puresa i sense pressió, que té els avantatges d'una alta duresa, resistència al desgast, alta conductivitat tèrmica, estabilitat mecànica a alta temperatura i resistència a la corrosió, així com alta precisió i uniformitat. de gravat de capa epitaxial d'hòsties.
Descripció
Les safates de SiC tenen molts avantatges en comparació amb altres tipus de safates. En primer lloc, la seva alta conductivitat tèrmica els fa ideals per a processos de tractament tèrmic, com ara la sinterització i la soldadura forta. Poden suportar temperatures de fins a 1650 graus sense deformar-se ni degradar-se, el que significa que es poden utilitzar en entorns durs on altres materials fallarien.
En segon lloc, les safates de carbur de silici són químicament inerts i no reaccionen amb la majoria de productes químics, inclosos els àcids, les bases i les sals. Aquesta característica els fa ideals per al seu ús a les indústries química i farmacèutica, on sovint s'utilitzen productes químics durs.
En tercer lloc, les safates de SiC són altament resistents a l'abrasió i tenen un baix coeficient d'expansió tèrmica. Això els fa ideals per utilitzar-los en aplicacions de forns d'alta temperatura on les peces necessiten encaixar bé i no expandir-se ni contraure's a causa dels canvis tèrmics.
